高博班学术交流报告会预告(2018秋第4期)

/ 2018-10-27 13:25:59


 

时间:2018年10月30日18:30-20:30                            

地点:高等理工学院报告厅(主楼南翼503)

 

报告一:面向复杂系统的电磁兼容量化设计方法与技术

主讲人:李丽林(2017级高博班、电子信息工程学院博士生)

 

内容摘要:随着电子科学技术的飞速发展,小至手机、大至飞机平台,其上的电子设备也日趋复杂。如何能保证如此多电子设备互不干扰、协同工作呢?如果整个电子系统出现故障,如何迅速排查故障解决问题呢?传统的电磁兼容整改方法应对以上问题时又有何缺陷?本次报告将为大家介绍面向复杂系统的电磁兼容量化设计方法与技术,并阐述其在电磁兼容领域起到的关键作用。                            

主讲人简介:李丽林,北航电子信息工程学院电磁兼容技术研究所博士生,师从苏东林教授,主要研究方向为电磁兼容与电磁环境,以及适用于电磁计算的优化算法探究。

 

报告二:基于自旋电子学的新型存储技术及类脑计算研究

主讲人:李赛(2017级高博班、电子信息工程学院博士生)

内容摘要:自旋电子学是一门研究利用电子的自旋属性来控制材料导电特性的新兴学科,其最成功的应用范例是巨磁阻效应(magnetoresistance,GMR),它使得硬盘的存储密度达到了千倍量级的提升,创造了从基础学科发现到大规模产业化应用的一个成功典范。当前微电子技术的发展瓶颈是伴随晶体管尺寸的不断缩小导致芯片功耗与散热难以承受。集成电路的发展已经无法严格按照摩尔定律向前发展,即进入了所谓的“后摩尔”时代,自旋电子技术凭借其利用电子自旋存储及处理信息的独特方式避免了焦耳热的产生,成为了突破摩尔定律备受关注的前沿研究方向之一。其中隧穿磁电阻效应(Tunnel Magnetoresistance:  TMR)、自旋转移矩(Spin Transfer Torque: STT)、自旋轨道矩(Spin Orbit Torque: SOT)等效应的发现,使得实用的自旋电子器件成为可能。基于自旋电子技术的磁阻式随机存储器(Magnetic Random Access Memory: MRAM)从2006年起开始商用,三星、台积电等全球领先半导体企业都计划在近期量产STT-MRAM。              

在下一代自旋电子器件的研究中,具有拓扑保护的磁性斯格明子自旋结构在近年来成为了一大热点。斯格明子是一种拓扑保护的稳定状态,具有尺寸小、稳定性高和易操控等系列特点,从而具有潜在的应用价值构建未来高密度、高速度、低能耗磁存储器件,被誉为未来最有潜在价值的新型信息载体。除了被应用在存储领域,斯格明子由于“多值”、“可控”以及一定“随机性”等特点更加适合于应用在类脑计算(neuromorphic computing)(非冯诺依曼体系结构)中。

本次报告将介绍基于自旋电子学的新型存储技术发展,并以磁性斯格明子模拟生物神经元和突触的神经形态器件为例,介绍自旋器件在类脑计算中的应用研究。              

主讲人简介:李赛,北京航空航天大学高等理工学院2017级博士生,现就读于北航自旋电子交叉学科研究中心,导师为赵巍胜教授和康旺副教授。研究领域为磁性斯格明子动力学及其类脑计算应用。

友情链接

北京航空航天大学

地址:北京市海淀区学院路37号 邮箱:hcbu@buaa.edu.cn 电话:010-82313992

Copyright 高等理工学院 All Rights Reserved.